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Complexidade e Propriedades Electrónicas (CEP)
 
- Composição do grupo 

    

 

Effective Members:

-Anabela G Rolo – Assistant Professor

-Francisco J M Macedo – Assistant Professor

-João Pedro H A Alpuim – Assistant Professor

-José Carlos V Gomes – Assistant Professor

-José M P Carmelo – Full Professor

-Gueorgui V Smirnov– Full Professor

-Maria Fátima G Cerqueira – Assistant Professor

-Maria José F A F Sampaio – Assistant Professor

-Mikhail I Vasilevskiy– Full Professor

-Nuno M R Peres– Full Professor

-Ricardo P L M M Ribeiro – Assistant Professor



Researchers:

-Ivan Larkin- Senior Researcher (Welcome II)

-Jaime E V S M Santos - Researcher

-Anura P Samantilleke – Researcher





Post-doctorate researchers and research Fellows with PhD:

-Yuliy Bludov, Post-Doc Fellow

-Vadim Ponomarenko, Post-Doc Fellow

-Isabel Moura, Post-Doc

-Tilen Cadez, Post Doc

-João Viana, Pós Doc



PhD and other research students:

-Filipe Oliveira, PhD student with FCT grant

-Bruno Amorim, PhD student with FCT grant


   
 
- Informação sobre a investigação no grupo
 
No GCPE realiza-se investigação experimental e teórica fundamental sobreas propriedades electrónicas de novos materiais (v.g. o grafeno e osilício nanocristalino), estados limites da matéria e físicaestatística fora do equilíbrio. Além disso, desenvolve‑se trabalho maisaplicado, associado ao processo de criação de novos dispositivoselectrónicos de grande potencial tecnológico. Entre estes figuram redesde sensores de deformação para electro-têxteis e cuidados de saúde, ascélulas solares de silício sobre plástico e os micro-sistemas paraaproveitamento de energia termoeléctrica. A interacção construtiva dascomponentes de investigação fundamental e aplicada é uma das principaispreocupações deste grupo.


Laboratório de filmes finos para a electrónica – Estações de Deposição Química de Vapores
 
  

 

Laboratório de filmes finos para a electrónica - Estação de Deposição Física de Vapores 
 



Laboratório de filmes finos para a electrónica – Sala de optoelectrónicas room


 
Relaçãode dispersão do grafeno incluindo amplitudes de salto de primeiros esegundos vizinhos. Pode ver-se uma ampliação da relação de dispersãonas proximidades do ponto de Dirac. É claro que a relação de dispersãoé cónica na proximidade desse ponto.



© Nuno Peres 2007 



 
Dispersõesde picos experimentais (estruturas cinzentas) obtidas por ARPES aolongo da direcção das cadeias moleculares do material orgânico TTF-TCNQe linhas que correspondem ao valor máximo das dispersões espectraisprevistas pela teoria cuja largura e estrutura não é aqui representada.(O ponto Z corresponde ao momento k = π).
 

 
Célulassolares de filme fino de silício depositadas sobre plástico flexível abaixa temperatura (150ºC). Estas células têm eficiência de 5%, VOC =0.9 V e Jcc = 10 mA/cm2.
 


Aresposta piezoresistiva de filmes finos de silício nanocristalinodopado em função da deformação longitudinal uniaxial dos sensores.Enquanto os filmes tipo-n mostram uma diminuição da resistência paradeformações positivas (à tracção) e um aumento da resistência paradeformações negativas (à compressão), os filmes tipo-p têm ocomportamento inverso, o que pode ser explorado no fabrico de sensoresinteligentes. 
  

a)                                                                                                b)  


Estadolimite da adsorção irreversível de partículas coloidais em superfíciespré-tratadas. Padrão constituído por 25´25 células unitárias dequadrados. A adsorção apenas pode ocorrer no interior das regiõesquadradas. O lado dos quadrados é 0.2 (a) e 1.2 (b) e a distância entrequadrados é 0.5 (a) e 0.2 (b), em unidades do diâmetro da partícula.Devido à interacção de volume excluído entre as partículas, domínioscom semi-ordem na diagonal são formados. Estes domínios formados sãomais extensos em (b) uma vez que a distância entre quadrados é menor.
 
 
 
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